WSM320N04G N-seanail 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

tuairisgeul goirid:

Àireamh Modail:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1.2 mh

ID:320A

Seanail:N-seanail

Pasgan:TOLL-8L

Bathar Samhraidh:Tha bholtadh de 40V aig an WSM320N04G MOSFET, sruth 320A, strì an aghaidh 1.2mΩ, N-sianal, agus pasgan TOLL-8L.

Iarrtasan:Toitean dealanach, cosgais gun uèir, drones, meidigeach, cosgais chàraichean, luchd-riaghlaidh, toraidhean didseatach, innealan taighe beaga, electronics luchd-cleachdaidh.

Cuir post-d thugainn PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Iarrtas

Bathar Tags

Tuairisgeul Coitcheann

Tha an WSM320N04G na MOSFET àrd-choileanaidh a bhios a’ cleachdadh dealbhadh trench agus aig a bheil dùmhlachd cealla fìor àrd.Tha RDSON sàr-mhath agus cosgais geata aige agus tha e freagarrach airson a’ mhòr-chuid de thagraidhean tionndaidh boc sioncronaich.Bidh an WSM320N04G a’ coinneachadh ri riatanasan RoHS agus Bathar Uaine agus tha e cinnteach gum bi 100% EAS agus earbsachd làn-ghnìomh ann.

Feartan

Teicneòlas trench dùmhlachd cealla àrd adhartach, fhad ‘s a tha e cuideachd a’ nochdadh cosgais geata ìosal airson an coileanadh as fheàrr.A bharrachd air an sin, tha crìonadh buaidh CdV / dt sàr-mhath ann, Gealladh 100% EAS agus roghainn a tha càirdeil don àrainneachd.

Iarrtasan

Tionndadh Buck Synchronous Point-of-Load Àrd-tricead, Siostam Cumhachd Lìonra DC-DC, Iarrtas Inneal Cumhachd, Toitean dealanach, cosgais gun uèir, drones, meidigeach, cosgais chàraichean, riaghladairean, toraidhean didseatach, innealan taighe beaga, agus electronics luchd-cleachdaidh.

Paramadairean cudromach

samhladh	Paramadair	Rangachadh	Aonadan
VDS	Drain-Source Voltage	40	V
VGS	Voltage Gate-Source	±20	V
ID@TC = 25 ℃	Drèanadh leantainneach an-dràsta, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC = 100 ℃	Drèanadh leantainneach an-dràsta, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Drèan pulsed an-dràsta2	900	A
EAS	Cumhachd maoim-sneachda singilte Pulse3	980	mJ
IAS	Maoim-sneachda an-dràsta	70	A
PD@TC = 25 ℃	Sgaoileadh cumhachd iomlan4	250	W
TSTG	Raon Teòthachd stòraidh	-55 gu 175	℃
TJ	Raon Teòthachd Snaim Obrachaidh	-55 gu 175	℃

samhladh	Paramadair	Cùmhnantan	Min.	Taidhp.	Max.	Aonad
BVDSS	Voltage Briseadh sìos Drain-Source	VGS = 0V , ID = 250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Co-èifeachd teòthachd BVDSS	Iomradh air 25 ℃, ID = 1mA	---	0.050	---	V / ℃
RDS (air)	Drain statach - Stòr air-aghaidh2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS (air)	Drain statach - Stòr air-aghaidh2	VGS=4.5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Voltage Gate Threshold	VGS = VDS , ID = 250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	Co-èifeachd teòthachd VGS(th).	VGS = VDS , ID = 250uA	---	-6.94	---	mV / ℃
IDSS	Aoidionachd Drain-Stòr an-dràsta	VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Aoidionachd Drain-Stòr an-dràsta	VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 55 ℃	---	---	10	uA
IGSS	Aoidionachd Gate-Source an-dràsta	VGS = ±20V, VDS = 0V	---	---	±100	nA
gfs	Gluasad air adhart	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	Frith-aghaidh Geata	VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Cìs geata iomlan (10V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Cìs geata-stòr		---	43	---
Qgd	Cìs geata-drain		---	83	---
Td(air)	Uair dàil tionndaidh air	VDD=20V, VGEN=4.5V, RG=2.7Ω, ID=1A .	---	30	---	ns
Tr	Am Eirich		---	115	---
Td (dheth)	Cuir dheth an ùine dàil		---	95	---
Tf	Am tuiteam		---	80	---
Ciss	Input Capacitance	VDS = 20V, VGS = 0V, f = 1MHz	---	8100	---	pF
Cos	Capacitance Toraidh		---	1200	---
Crs	Comas gluasaid air ais		---	800	---