WSR140N12 N-seanail 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

tuairisgeul goirid:

Àireamh Modail:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mh

ID:140A

Seanail:N-seanail

Pasgan:TO-220-3L

Bathar Samhraidh:Is e bholtadh WSR140N12 MOSFET 120V, is e an sruth 140A, is e an aghaidh 5mΩ, is e an sianal N-sianal, agus is e am pasgan TO-220-3L.

Iarrtasan:Solar cumhachd, meidigeach, prìomh innealan, BMS msaa.

Cuir post-d thugainn PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Iarrtas

Bathar Tags

Tuairisgeul Coitcheann

Is e an WSR140N12 an trench coileanaidh as àirde N-ch MOSFET le dùmhlachd cealla fìor àrd, a bheir seachad RDSON sàr-mhath agus cosgais geata airson a’ mhòr-chuid de na tagraidhean tionndaidh boc sioncronaich.Bidh an WSR140N12 a’ coinneachadh ri riatanas RoHS agus Bathar Uaine, 100% EAS barantaichte le làn earbsachd gnìomh ceadaichte.

Feartan

Teicneòlas trench dùmhlachd cealla àrd adhartach, Cìs Geata Super Ìosal, Crìonadh buaidh CdV/dt sàr-mhath, 100% EAS Barantaichte, Inneal Uaine ri fhaighinn.

Iarrtasan

Tionndadh Buck Synchronous Point-of-Load Àrd-tricead, Siostam Cumhachd Lìonra DC-DC, Solarachadh cumhachd, meidigeach, prìomh innealan, BMS msaa.

àireamh stuthan co-fhreagarrach

ST STP40NF12 etc.

Paramadairean cudromach

samhladh	Paramadair	Rangachadh	Aonadan
VDS	Drain-Source Voltage	120	V
VGS	Voltage Gate-Source	±20	V
ID	Drain leantainneach an-dràsta, VGS @ 10V (TC = 25 ℃)	140	A
IDM	Drèan pulsed an-dràsta	330	A
EAS	Singilte Pulse Avalanche Energy	400	mJ
PD	Sgaoileadh cumhachd iomlan ... C = 25 ℃)	192	W
RθJA	Frith-aghaidh teirmeach, snaim-ambient	62	℃ / W
RθJC	Frith-aghaidh teirmeach, cùis snaim	0.65	℃ / W
TSTG	Raon Teòthachd stòraidh	-55 gu 150	℃
TJ	Raon Teòthachd Snaim Obrachaidh	-55 gu 150	℃

samhladh	Paramadair	Cùmhnantan	Min.	Taidhp.	Max.	Aonad
BVDSS	Voltage Briseadh sìos Drain-Source	VGS = 0V , ID = 250uA	120	---	---	V
RDS (air)	Drain statach - Stòr air-aghaidh2	VGS=10V, ID=30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS(th)	Voltage Gate Threshold	VGS = VDS , ID = 250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Aoidionachd Drain-Stòr an-dràsta	VDS = 120V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Aoidionachd Gate-Source an-dràsta	VGS = ±20V, VDS = 0V	---	---	±100	nA
Qg	Cìs geata iomlan	VDS=50V, VGS=10V, ID=15A	---	68.9	---	nC
Qgs	Cìs geata-stòr		---	18.1	---
Qgd	Cìs geata-drain		---	15.9	---
Td(air)	Uair dàil tionndaidh air	VDD=50V, VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Am Eirich		---	33.0	---
Td (dheth)	Cuir dheth an ùine dàil		---	59.5	---
Tf	Am tuiteam		---	11.7	---
Ciss	Input Capacitance	VDS = 50V , VGS = 0V , f = 1MHz	---	5823	---	pF
Cos	Capacitance Toraidh		---	778.3	---
Crs	Comas gluasaid air ais		---	17.5	---