Tha mòran atharrachaidhean de shamhlaidhean cuairteachaidh air an cleachdadh gu cumanta airson MOSFETs. Is e an dealbhadh as cumanta loidhne dhìreach a’ riochdachadh an t-seanail, dà loidhne ceart-cheàrnach ris an t-sianal a’ riochdachadh an tùs agus an drèanadh, agus loidhne nas giorra co-shìnte ris an t-sianal air an taobh chlì a’ riochdachadh a’ gheata. Aig amannan thèid loidhne bhriste a chuir an àite na loidhne dhìreach a tha a’ riochdachadh an t-seanail gus eadar-dhealachadh a dhèanamh eadar modh adhartachaidhmosg no mosfet modh ìsleachaidh, a tha cuideachd air a roinn ann an MOSFET sianal N agus P-channel MOSFET dà sheòrsa de shamhlaidhean cuairteachaidh mar a chithear san fhigear (tha stiùireadh na saighead eadar-dhealaichte).
Bidh Power MOSFETs ag obair ann an dà phrìomh dhòigh:
(1) Nuair a thèid bholtadh dearbhach a chur ri D agus S (drain dearbhach, tùs àicheil) agus UGS = 0, tha an snaim PN ann an roinn bodhaig P agus roinn drèanaidh N air a chlaonadh air ais, agus chan eil sruth a’ dol eadar D. agus S. Ma thèid bholtadh dearbhach UGS a chur ris eadar G agus S, cha bhith sruth geata sam bith a’ sruthadh leis gu bheil an geata air a insaladh, ach bidh bholtadh dearbhach aig a’ gheata a’ putadh na tuill air falbh bhon roinn P gu h-ìosal, agus bidh na mion-eleactronan giùlain a bhith air a tharraing gu uachdar sgìre P Nuair a tha an UGS nas àirde na bholtadh sònraichte UT, bidh an dùmhlachd dealanach air uachdar na sgìre P fon gheata nas àirde na dùmhlachd an tuill, agus mar sin a’ dèanamh an còmhdach antipattern semiconductor P-seòrsa N-seòrsa semiconductor ; tha an còmhdach antipattern seo a’ cruthachadh seanal seòrsa N eadar an stòr agus an drèana, gus am bi an snaim PN a ’dol à sealladh, an stòr agus an drèanadh a’ giùlan, agus ID sruth drèanaidh a ’sruthadh tron drèana. Canar bholtaids tionndaidh no stairsneach ri UT, agus mar as motha a tha UGS nas àirde na UT, is ann as giùlain a tha an comas giùlain, agus mar as motha a tha an ID. Mar as motha a tha an UGS nas àirde na UT, mar as làidire an giùlan, is ann as motha a bhios an ID.
(2) Nuair a tha D, S a bharrachd air bholtadh àicheil (stòr dearbhach, drèanadh àicheil), tha an snaim PN claon air adhart, co-ionann ri diode cùil a-staigh (chan eil feartan freagairt luath aige), is e sin, anMOSFET aig nach eil comas bacadh air ais, faodar a mheas mar cho-phàirtean giùlain neo-dhìreach.
Leis anMOSFET faodar prionnsapal obrachaidh fhaicinn, chan eil an giùlan aige ach aon neach-giùlan polarity a tha an sàs anns an giùlan, mar sin ris an canar cuideachd unipolar transistor.MOSFET drive gu tric stèidhichte air paramadairean solar cumhachd IC agus MOSFET gus an cuairteachadh iomchaidh a thaghadh, mar as trice bidh MOSFET air a chleachdadh airson atharrachadh. cuairt solar cumhachd dràibhidh. Nuair a bhios iad a’ dealbhadh solar cumhachd suidse a’ cleachdadh MOSFET, bidh a’ mhòr-chuid a’ beachdachadh air an aghaidh, an bholtadh as àirde, agus an sruth as àirde den MOSFET. Ach, glè thric bidh daoine a 'beachdachadh air na factaran sin a-mhàin, gus an urrainn don chuairt obrachadh gu ceart, ach chan e fuasgladh dealbhaidh math a th' ann. Airson dealbhadh nas mionaidiche, bu chòir don MOSFET cuideachd beachdachadh air an fhiosrachadh paramadair aige fhèin. Airson MOSFET cinnteach, bheir a chuairt dràibhidh, an sruth as àirde de thoradh an draibhidh, msaa, buaidh air coileanadh tionndaidh an MOSFET.
Ùine puist: Cèitean-17-2024
