Tha iomadh seòrsa deMOSFETan, air a roinn sa mhòr-chuid ann an MOSFETs snaim agus MOSFETs geata inslithe dà roinn, agus tha puingean N-seanail agus seanail-P aca uile.
Tha Transistor Buaidh Achaidh Metal-Oxide-Semiconductor, ris an canar MOSFET, air a roinn ann an seòrsa crìonadh MOSFET agus seòrsa àrdachadh MOSFET.
Tha MOSFETs cuideachd air an roinn ann an tiùban aon-gheata agus dà gheata. Tha dà gheata neo-eisimeileach G1 agus G2 aig MOSFET dà-gheata, bho thogail co-ionann ri dà MOSFET aon-gheata ceangailte ann an sreath, agus bidh an sruth toraidh aige ag atharrachadh leis an dà smachd bholtaids geata. Tha am feart seo de MOSFETs dà-gheata a’ toirt deagh ghoireasachd nuair a thèid a chleachdadh mar amplifiers àrd-tricead, faigh smachd air amplifiers, measgairean agus demodulators.
1, MOSFETseòrsa agus structar
Is e seòrsa de FET a th’ ann am MOSFET (is e seòrsa eile JFET), faodar a dhèanamh a-steach do sheòrsa leasaichte no ìsleachaidh, sianal P no seanail N gu h-iomlan de cheithir seòrsaichean, ach tha cleachdadh teòiridheach dìreach MOSFET seanail N leasaichte agus P-sianal leasaichte. sianal MOSFET, mar sin mar as trice air ainmeachadh mar NMOS, no PMOS a’ toirt iomradh air an dà sheòrsa seo. A thaobh carson nach cleachd thu MOSFETs den t-seòrsa ìsleachaidh, na molamaid sgrùdadh a dhèanamh air a’ bhun-adhbhar. A thaobh an dà MOSFET leasaichte, is e NMOS an fheadhainn as cumanta a chleachdar, is e an t-adhbhar gu bheil an dìon-aghaidh beag, agus furasta a dhèanamh. Mar sin ag atharrachadh solar cumhachd agus tagraidhean dràibhidh motair, mar as trice cleachd NMOS. an cuòt a leanas, ach cuideachd barrachd stèidhichte air NMOS. tha trì prìneachan de chomas dìosganach MOSFET eadar na trì prìnichean, rud nach eil na feumalachdan againn, ach air sgàth cuingealachaidhean pròiseas saothrachaidh. Tha comas dìosganach ann an dealbhadh no taghadh a’ chuairt dràibhidh gus beagan ùine a shàbhaladh, ach chan eil dòigh ann air a sheachnadh, agus an uairsin ro-ràdh mionaideach. Anns an diagram sgeama MOSFET chithear an drèanadh agus an tùs eadar diode dìosganach. Canar corp diode ris an seo, ann a bhith a’ draibheadh luchdan reusanta, tha an diode seo glè chudromach. Air an t-slighe, chan eil an diode bodhaig ann ach ann an aon MOSFET, mar as trice chan ann taobh a-staigh a’ chip cuairteachaidh aonaichte.
2, feartan giùlain MOSFET
Tha cudromachd giùlan mar suidse, co-ionann ri suidse dùnadh.NMOS feartan, bidh Vgs nas motha na luach sònraichte a’ giùlan, a tha freagarrach airson a chleachdadh nuair a tha an stòr stèidhichte (draibheadh ìosal), chan eil ach bholtadh a ’gheata a’ ruighinn aig feartan 4V no 10V.PMOS, giùlainidh Vgs nas lugha na luach sònraichte, a tha freagarrach airson a chleachdadh nuair a tha an stòr ceangailte ris an VCC (dràibhear àrd).
Ach, gu dearbh, faodaidh PMOS a bhith gu math furasta a chleachdadh mar dhràibhear àrd, ach air sgàth an aghaidh, daor, nas lugha de sheòrsan iomlaid agus adhbharan eile, anns an draibhear àrd, mar as trice bidh iad fhathast a’ cleachdadh NMOS.
3, MOSFETag atharrachadh call
Ge bith an e NMOS no PMOS a th’ ann, às deidh don fhreasdal a bhith ann, gus an ith an sruth lùth san aghaidh seo, canar call air-aghaidh ris a’ phàirt seo den lùth a thèid a chaitheamh. Le bhith a’ taghadh MOSFET le dìon beag lughdaichidh sin an call air an aghaidh. Mar as trice tha an dìon àbhaisteach MOSFET le cumhachd ìosal anns na deichean milliohms, beagan milliohms an sin. Chan fhaod MOS ann an ùine agus gearradh dheth a bhith ann an crìochnachadh sa bhad an bholtachd thairis air an MOS tha pròiseas tuiteam, an sruth a’ sruthadh tro phròiseas ag èirigh, rè na h-ùine seo, tha call an MOSFET Canar toradh an bholtaids agus an t-sruth ris a’ chall suidse. Mar as trice tha an call suidse tòrr nas motha na an call giùlain, agus mar as luaithe a bhios tricead an tionndaidh, is ann as motha a bhios an call. Tha toradh mòr de bholtadh agus sruth aig àm an giùlain na chall mòr. Le bhith a 'giorrachadh na h-ùine tionndaidh a' lùghdachadh an call aig gach giùlan; bidh lughdachadh tricead suidse a’ lughdachadh an àireamh de suidsichean gach aonad ùine. Faodaidh an dà dhòigh-obrach an call tionndaidh a lughdachadh.
4, dràibhear MOSFET
An coimeas ri transistors bipolar, thathas a’ gabhail ris sa chumantas nach eil feum air sruth sam bith gus an MOSFET a ghiùlan, dìreach gu bheil an bholtadh GS os cionn luach sònraichte. Tha seo furasta a dhèanamh, ge-tà, feumaidh sinn astar cuideachd. Ann an structar an MOSFET chì thu gu bheil comas dìosganach eadar GS, GD, agus is e draibheadh MOSFET, ann an teòiridh, a bhith a’ cur cosgais agus a’ sgaoileadh an capacitance. Tha feum air sruth le bhith a’ cur cosgais air an capacitor, agus leis gum faodar a bhith a’ cur cosgais air an capacitor sa bhad mar chuairt ghoirid, bidh an sruth sa bhad àrd. Is e taghadh / dealbhadh draibhear MOSFET a’ chiad rud air am bu chòir aire a thoirt dha meud an t-sruth cuairt ghoirid sa bhad a thoirt seachad. Is e an dàrna rud air am bu chòir aire a thoirt gu bheil, mar as trice air a chleachdadh ann an NMOS dràibhidh àrd, air iarrtas gu bheil bholtachd a ’gheata nas àirde na bholtadh an stòr. Bholtadh stòr giùlain tiùb MOS àrd-deireadh agus bholtadh drèanaidh (VCC) an aon rud, agus mar sin tha bholtadh geata na VCC 4V no 10V. a’ gabhail ris gum feum sinn cuairt àrdachadh sònraichte san aon shiostam, gus bholtadh nas motha fhaighinn na an VCC. Tha mòran de dhraibhearan motair nam pumpa cosgais aonaichte, gus aire a thoirt dha bu chòir an capacitor taobh a-muigh iomchaidh a thaghadh, gus sruth geàrr-chuairt gu leòr fhaighinn airson am MOSFET a dhràibheadh. Tha 4V no 10V air a ràdh gu h-àrd air a chleachdadh gu cumanta MOSFET air bholtachd, an dealbhadh gu dearbh, an fheum air iomall sònraichte. Mar as àirde an bholtachd, is ann as luaithe a bhios an astar air-stàite agus as ìsle an aghaidh air-stàite. Mar as trice bidh MOSFETan bholtachd air-stàite nas lugha air an cleachdadh ann an diofar roinnean, ach ann an siostaman dealanach fèin-ghluasadach 12V, tha 4V àbhaisteach air-stàite gu leòr.
Tha prìomh pharaimearan an MOSFET mar a leanas:
1. bholtaids briseadh sìos geata stòr BVGS - ann am pròiseas àrdachadh bholtachd stòr geata, gus am bi an sruth geata IG bho neoni gus tòiseachadh air àrdachadh geur ann an VGS, ris an canar bholtadh briseadh sìos geata BVGS.
2. tionndadh air bholtaids VT - tionndadh air bholtaids (ris an canar cuideachd an bholtaids stairsnich): dèan an tùs S agus drèanadh D eadar toiseach an conductive sianal a 'dèanamh suas a' gheata bholtaids; - MOSFET àbhaisteach N-sianal, tha VT timcheall air 3 ~ 6V; - às deidh a’ phròiseas leasachaidh, is urrainn dha luach MOSFET VT sìos gu 2 ~ 3V.
3. bholtaids briseadh sìos drain BVDS - fo staid VGS = 0 (daingnichte), ann am pròiseas àrdachadh bholtachd drèanaidh gus an tòisich an ID ag àrdachadh gu mòr nuair a chanar ris an VDS mar bholtaids briseadh sìos drain BVDS - ID àrdachadh gu mòr air sgàth an dà thaobh a leanas:
(1) briseadh maoim-sneachda air an ìre dòrtadh faisg air an dealan drèanaidh
(2) briseadh a-steach eadar-pòla stòr-drèana - cuid de MOSFET bholtachd beag, tha fad an t-seanail goirid, bho àm gu àm gus an VDS àrdachadh bheir e air an roinn drèanaidh den t-sreath ìsleachaidh bho àm gu àm leudachadh chun roinn stòr. , gus am bi fad an t-seanail de neoni, is e sin, eadar dol a-steach an stòr drèanaidh, dol a-steach, roinn stòr a’ mhòr-chuid de luchd-giùlan, an roinn stòr, dìreach gus seasamh an aghaidh còmhdach ìsleachaidh an raon dealain, gus an sgìre aoidionachd a ruighinn, a’ leantainn gu ID mòr.
4. Frith-aghaidh cuir a-steach DC RGS-ie, an co-mheas de bholtachd a chaidh a chur ris eadar stòr a’ gheata agus sruth a ’gheata, tha am feart seo uaireannan air a chuir an cèill a thaobh sruth a’ gheata a tha a ’sruthadh tron gheata Faodaidh RGS MOSFET a dhol thairis air 1010Ω gu furasta. 5.
5. gm transconductance tricead ìosal anns an VDS airson luach stèidhichte de na suidheachaidhean, is e an transconductance gm a chanar ri microvariance an t-sruth drèanaidh agus microvariance bholtachd stòr geata a dh’ adhbhraich an t-atharrachadh seo, a’ nochdadh smachd bholtachd stòr a’ gheata air an Is e sruth drèanaidh sealltainn gu bheil leudachadh MOSFET na paramadair cudromach, sa chumantas anns an raon eadar beagan is beagan mA / V. Faodaidh am MOSFET nas àirde na 1010Ω gu furasta.
Ùine puist: Cèitean-14-2024
