(1) Buaidh smachd vGS air ID agus sianal
① Cùis vGS=0
Chithear gu bheil dà shnaim PN cùl ri cùl eadar an drèana d agus stòran a’ mhodh leasachaidhMOSFET.
Nuair a bhios an bholtadh stòr-gheata vGS = 0, eadhon ged a thèid bholtadh stòr-drèana vDS a chur ris, agus ge bith dè an polarity a th’ aig vDS, tha snaim PN an-còmhnaidh anns an staid claon air ais. Chan eil sianal giùlain eadar an drèana agus an stòr, agus mar sin an sruth drèanaidh ID≈0 aig an àm seo.
② Cùis vGS> 0
Ma tha vGS> 0, thèid raon dealain a chruthachadh anns an t-sreath inslithe SiO2 eadar an geata agus an t-substrate. Tha stiùireadh an raoin dealain ceart-cheàrnach ris an raon dealain a tha air a stiùireadh bhon gheata chun an t-substrate air an uachdar semiconductor. Bidh an raon dealain seo a’ cuir às do thuill agus a’ tarraing dealanan. Tuill air ais: Tha na tuill anns an t-substrate seòrsa P faisg air a’ gheata air an toirt air ais, a’ fàgail ionsan glacaidh so-ghluasadach (ions àicheil) gus còmhdach de dh’ ìsleachadh a chruthachadh. Tarraing dealanan: Tha na dealanan (luchd-giùlan beag) anns an t-substrate seòrsa P air an tàladh gu uachdar an t-substrate.
(2) Cruthachadh sianal giùlain:
Nuair a tha an luach vGS beag agus nach eil an comas dealanan a thàladh làidir, chan eil sianal giùlain eadar an drèana agus an stòr fhathast. Mar a bhios vGS ag àrdachadh, tha barrachd eleactronan air an tàladh gu còmhdach uachdar an fho-strat P. Nuair a ruigeas vGS luach sònraichte, bidh na dealanan sin a’ cruthachadh sreath tana de sheòrsa N air uachdar an t-substrate P faisg air a’ gheata agus tha iad ceangailte ris an dà roinn N +, a’ cruthachadh sianal giùlain seòrsa N eadar an drèana agus an stòr. Tha an seòrsa seoltachd aige mu choinneamh an t-substrate P, agus mar sin canar còmhdach tionndaidh ris cuideachd. Mar as motha a tha vGS, is ann as làidire a bhios an raon dealain a tha ag obair air uachdar an semiconductor, mar as motha de eleactronan a thèid a tharraing gu uachdar an t-substrate P, mar as tiugh a bhios an t-sianal giùlain, is ann as lugha a bhios an aghaidh sianal. Canar bholtachd stòr-gheata nuair a thòisicheas an t-sianal a’ cruthachadh an bholtadh tionndaidh, air a riochdachadh le VT.
Tha anN-seanail MOSFETair a dheasbad gu h-àrd chan urrainn dha sianal giùlain a chruthachadh nuair a tha vGS <VT, agus an tiùb ann an staid gearraidh. Is ann dìreach nuair a thèid vGS≥VT a chruthachadh. An seòrsa seo deMOSFETfeumaidh sin sianal giùlain a chruthachadh nuair a chanar ri vGS≥VT modh leasachaidhMOSFET. Às deidh an t-sianal a bhith air a chruthachadh, thèid sruth drèanaidh a chruthachadh nuair a thèid vDS bholtadh air adhart a chuir an sàs eadar an drèanadh agus an stòr. Buaidh vDS air ID, nuair a tha vGS> VT agus tha luach sònraichte ann, tha buaidh bholtadh stòr drèanaidh vDS air an t-sianal giùlain agus ID gnàthach coltach ri buaidh transistor buaidh achaidh snaim. Tha an tuiteam bholtachd a ghineadh leis an ID sruth drèanaidh air feadh an t-seanail a’ fàgail nach bi na bholtachd eadar gach puing san t-sianal agus an geata co-ionann tuilleadh. Is e an bholtadh aig an deireadh faisg air an stòr am fear as motha, far a bheil an sianal as tiugh. 'S e an bholtaids aig ceann an drèanaidh an tè as lugha, agus 's e VGD = vGS-vDS a luach, 's mar sin 's e an sianal an tè as taine an seo. Ach nuair a tha vDS beag (vDS
Ùine puist: Samhain-12-2023
